高压开关电流取决于时间，晶闸管/可控硅
与具有非常有限的 dv/dt 和 di/dt 功能的经典圆盘晶闸管开关相比，
快速晶闸管开关模块由大量并联和串联的较小晶闸管芯片（多达 1000 个单个晶闸管芯片）组成，
因此 dv/dt 和 di/dt 值可以有效地拆分为单个晶闸管的非临界值。
每个晶闸管都由其自身高度同步和隔离的栅极驱动器点火。
这允许非常短的栅极布线，并避免危险的热点，例如经典晶闸管开关设计中已知的热点。
设备
高峰值电流能力
高度拥堵容限
通过简单的 TTL 触发脉冲 （2-5 V） 轻松触发
技术参数
最大电压 （kV）6
峰值电流 （A）10000
峰值功率 （MW） 60
导通时间 （μs）35... ∞
外壳尺寸 （mm3 ） 122 x 64 x 31
说明
这些固态开关专为高压高峰值电流开关应用而设计，例如压电
驱动器、闪光灯驱动器、撬棒电路和浪涌发生器。这里描述的
开关模块是在一种特殊类型的可控硅(硅控整流器)的基础上
开发的，具有非常高的浪涌电流能力。每个开关模块由大量的
这些可控硅串联和并联组成。非常快速和同步开启的所有可控
硅的是由一个特殊的低阻抗驱动电路，它还提供了从控制输入
电流隔离。内部电流路径优化考虑杂散电感，允许导通
电流的变化率。与传统的高压开关如火花隙、电子管、气体放
电管和机械开关相比，HTS-SCR系列晶闸管开关具有非常低的
抖动和稳定的开关特性，不受温度和年龄的影响。平均无没障
时间(平均没故障工作时间)比传统的高压开关高出几个数量
级。
设计
抗干扰控制电路提供信号调节、辅助电压监控、频率限制和温度保护。在错误的操作条件下
，开关立即关闭并产生故障信号。一个特殊的同步输入允
许多达50个开关模块的并行互连，以增加单个模块的导
通峰值电流。开关是由一个3到10伏的正向信号触发的。
被触发后的SCR开关保持在导通状态，直到负载电流低于保持电流(典型的晶
闸管行为)。关断过程需要电流换向、电流限制或电流旁路。
在大多数放电应用中，关断过程可以简单地通过保持能量存储
电容器的充电电流低于开关的保持电流来执行。高于保持电流
的充电电流需要旁路开关，优选采用MOSFET技术。
HVP高压固态开关HTS 60-1000-SCR
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